Struktur Kristal, Morfologi Permukaan dan Sifat Optik Bahan CdSe Hasil Preparasi dengan Teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT) untuk Aplikasi Sel Surya

Author: 
Ariswan
Abstrak: 

Penelitian ini secara umum bertujuan untuk melakukan preparasi dan karakterisasi bahan semikonduktor lapisan tipis CdSe dengan teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT). Hasil preparasi selanjutnya dikarakterisasi untuk mengetahui struktur kristal menggunakan X-Ray Diffraction (XRD), sedangkan komposisi kimia dan morfologi permukaan diketahui dengan sistem terintegrasi Energy Dispersive Spectroscopy (EDS) dan Scanning Electron Microscope (SEM), selanjutnya energy gap ditentukan dengan spektrofotometer. Hasilnya menunjukkan bahwa lapisan tipis berbentuk polikristal dalam sistem Heksagonal dengan parameter kisi a=b= 4,289 Å dan c = 7,032 Å. Seluruh permukaan bahan memiliki warna homogen dan hasil EDS menunjukkan bahwa komposisi kimia non stoichiometri kaya cadmium dengan perbandingan Cd/Se adalah 100/44 serta Energi gap CdSe diperoleh sebesar 1,65 eV.