STRUKTUR DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GALIUM OKSIDA DOPING ZnO (2%) YANG DIFABRIKASIKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTERING

Author: 
Putut Marwoto
Mustaanah
Sugianto
Sulhadi
Abstrak: 

Galium oksida (Ga2O3) merupakan bahan semikonduktor dan berpotensi untuk aplikasi devais optoelektronik. Dalampenelitian ini telah ditumbuhkan film tipis Ga2O3 dengan doping ZnO (2%) pada suhu 635oC, tekanan gas argon 500 mtorr,waktu deposisi 180 menit, dan dengan daya plasma masing-masing 24,10 watt dan 44,62 watt. Film Ga2O3 dengan strukturkristal monoklinik dan ZnO dengan struktur heksagonal diperoleh dari film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 24,10 watt,sedangkan film dengan struktur amorf diperoleh pada film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 44,62. Citra SEMmenunjukkan bahwa film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 24,10 watt mempunyai ukuran butir (grain size) yang lebihbesar dengan morfologi permukaan tidak rata dibandingkan dengan film tipis yang ditumbuhkan dengan daya plasma 44,62 watt.Film yang ditumbuhkan pada daya plasma 44,62 watt mempunyai reflektansi relatif lebih tinggi dibandingkan dengan sampelyang ditumbuhkan pada daya plasma 24,10 watt. Kedua jenis film yang ditumbuhkan mempunyai energi bandgap sebesar 4,60eV.