PENGARUH KONDISI PENUMBUHAN PADA FOTOLUMINISENSI FILM TIPIS Ga2O3 DENGAN DOPING Mn

Author: 
Mosik
Putut Marwoto
Sulhadi
Sugianto
Abstrak: 

Galium oksida (Ga2O3) dengan doping Mn merupakan bahan semikonduktor dan berpotensi sebagai bahan yangmemancarkan fotoluminisensi dalam warna hijau. Telah ditumbuhkan film tipis Ga2O3 dengan doping Mn (2% dan 5%) padasuhu 600oC, waktu deposisi 180 menit, daya plasma masing-masing 35 watt dan tekanan gas argon 550 dan 650 mtorr. Hasileksperimen menunjukkan bahwa film tipis Ga2O3 dengan doping Mn memancarkan spektrum pada warna hijau dengan puncakpada panjang gelombang 490 – 496 nm. Film Ga2O3 yang ditumbuhkan dengan doping Mn 5% mempunyai intensitasfotoluminisensi relatif lebih tinggi dibandingkan dengan film yang ditumbuhkan dengan doping Mn 2%. Film Ga2O3 yangditumbuhkan pada tekanan gas argon 650 nm mempunyai intensitas fotoluminisensi lebih tinggi dibandingkan dengan film yangditumbuhkan pada tekanan gas argon 550 nm.